| 型号：IPB80N06S2L-05 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 80A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 4.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 230nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 5700pF @ 25V |
| 功率_最大 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市向鸿伟业电子有限公司 | 李先生0755-82561519 |
| 深圳市裕硕科技有限公司 | 雷小姐086-0755-23613962/82706142 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市华创欧科技有限公司 | 朱先生086-0755-23945755 83248872 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市欧立现代科技有限公司 | 林小姐 胡先生 张先生0755-83222787/23999932 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 中科航芯（深圳）科技有限公司 | 李18927479189 |
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14-TSSOP（0.173＂，4.40mm 宽）
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IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA
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FET - 单
Infineon Technologies
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
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